60EPF12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
60EPF12		329.16

Версия для печати

Технические характеристики 60EPF12

Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 1200V
Current - Average Rectified (Io)	60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.4V @ 60A
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	480ns
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247-2 (TO-247AC Modified)
Корпус	TO-247AC Modified

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

60CPF10

FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

Также в этом файле: 60EPF12

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

60EPF12 datasheet
207.05Kb
8стр.

Синонимы от поставщиков: 60EPF12 ; 60EPF-12 ; 60EPF 12 ; 60EPF — 12 ; 60EPF12 ; диод 60EPF12 ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2625-34		FUJI
2SC2625-34
FP75R12KE3BOSA1		INFINEON	6	33 028.57
FP75R12KE3BOSA1
IKW50N60H3 (K50H603)		INFINEON
IRFP3710PBF	Транзистор N-Канальный 100V 57A 200W 0,025R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP3710PBF	Транзистор N-Канальный 100V 57A 200W 0,025R	INFINEON	1 658	187.09
IRFP3710PBF	Транзистор N-Канальный 100V 57A 200W 0,025R
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER	20	580.80
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц			1 024.64
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	США
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INFINEON