IRFP3710PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP3710PBF (INFINEON)	1 898	189.05

Версия для печати

Технические характеристики IRFP3710PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 28A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	57A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	190nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3000pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ACS750LCA-050		ALLEGRO
ACS750LCA-050				954.00
ACS750LCA-050		Allegro Microsystems Inc
ACS750LCA-050		4-7 НЕДЕЛЬ	536
B32653-2000В-0.01МКФJ		EPCOS
B32654A474J	Пленочный конденсатор	EPCOS
B32654A474J	Пленочный конденсатор			304.00
B32654A474J	Пленочный конденсатор	EPCOS	429
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER	20	580.80
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц			1 024.64
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	США
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
IRGPS40B120UDP	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц	INFINEON
UPG2179TB-E4-A		NEC
UPG2179TB-E4-A				53.00
UPG2179TB-E4-A		RENESAS
UPG2179TB-E4-A		CEL
UPG2179TB-E4-A		RENESAS
UPG2179TB-E4-A		NEC ELECTRONICS
UPG2179TB-E4-A		4-7 НЕДЕЛЬ	296