|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 470 КОМ 5% | ELZET |
|
|
|||||
|
|
|
1206-4.7K 5% |
|
ЧИП — резистор 1206, 4.7K 1%, 0.33W | 1 434 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
||
|
|
|
PCF8574AT/3,512 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PCF8574AT/3,512 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
PCF8574AT/3,512 |
|
|
|
|||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 4 | 241.80 | ||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 12 288 | 22.32 | |
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 152.26 | |
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | 989 | 37.48 | |||
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | ФОТОН |
|
|
||
|
|
КП303Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|