3329H 500R (СП3-19A)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3329H-221	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BOURNS
3329H-221	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BARONS
3329H-221	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			19.84
3329H-221	Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	КИТАЙ
CL11 0.0068UF 250 V 10%
EC24-101K / LGA0307-101K	Дроссель с аксиальными выводами (L=100uH +/-10%, I=0.165A, R=3.5 Ohm, Q=50@f=2.52MHz, ...	KLS
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	JLW	332	43.92
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В			26.00
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	JL WORLD
HCM1201A	PBF излучательзвука 12 мм, 1.5В	RUICHI
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INFINEON
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	HOTTECH
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	KLS
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	TR
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	VBSEMI	36	3.92
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	TRR
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	HXY	19 516	1.43