Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SEMICRON
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	EIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SMK
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	ST MICROELECTRONICS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в			52.56
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	DC COMPONENTS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	Littelfuse Inc
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	STMicroelectronics
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	КИТАЙ
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MULTICOMP
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIG
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	HOTTECH
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	LEIDITEH	1 717	9.19
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	VISHAY	1 115	13.02
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz			6.36
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	UNKNOWN
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR	2 416
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	152
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ТАИЛАНД
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ONS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC1
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	HOTTECH	40	5.17
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	JSCJ	4 945	5.36
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	PHILIPS
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W		464	18.18
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	PHILIPS
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	МЕКСИКА
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INTERNATIONAL RECTIFIER	26
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	INFINEON
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	1
		IRF530N		Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W	JSMICRO	1 967	41.13
		К73-11А-63-0.39 5%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В			31.36
		К73-11А-63-0.39 5%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.39 мкФ 63 В	АМФИ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		299	11.78
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 096	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"