Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Power - Max | 330mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | PG-SOT23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
|
53 916
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DC COMPONENTS
|
23 241
|
2.29
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
DIOTEC
|
1 651
|
1.47
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FAIRCHILD
|
11 268
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NXP
|
7 296
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PHILIPS
|
2 720
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
37
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
GALAXY ME
|
1 636
|
1.08
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
HOTTECH
|
111 008
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
PANJIT
|
1
|
1.94
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YOUTAI
|
5 188
|
1.50
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
YJ
|
113 084
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
JSCJ
|
94 844
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
UMW
|
960
|
2.07
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
CJ
|
1 424
|
1.68
|
|
|
|
BAT54 |
|
Диод Шоттки SB-D, 30В, 0.2A, 5нс
|
SEMTECH
|
17
|
2.34
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
|
|
244.80
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
TECH PUB
|
8 591
|
9.03
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
61 481
|
3.25
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
54 900
|
3.33
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
22 857
|
4.42
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
742 052
|
1.86
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
12.83
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
276 509
|
8.18
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
26 400
|
3.10
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
MICRO CHIP
|
9 424
|
30.13
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
|
|
84.00
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
373
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
|
24
|
129.50
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
ISOMICR
|
1 984
|
12.84
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
670
|
|
|