| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
8
|
108.90
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
|
|
169.84
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
602
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
|
|
244.80
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
|
Транзисторная сборка Nканал, MOSFET, 20В, 3А
|
TECH PUB
|
10 210
|
9.30
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
61 625
|
3.72
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
69 524
|
3.42
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
6 420
|
5.25
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
583 400
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
13.62
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
313 652
|
8.47
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
26 400
|
3.10
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
MICRO CHIP
|
9 577
|
31.22
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
|
|
84.00
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
MCP6001UT-I/OT |
|
ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
|
|
2.44
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
MOTOROLA
|
2 041
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 733
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
OTHER
|
92
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
Версия для печати
