Версия для печати
Технические характеристики LM3046M

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Transistor Type	5 NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	14-SOICN
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 1mA, 3V
Power - Max	750mW
Noise Figure (dB Typ @ f)	3.25dB @ 1kHz

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS3695ATM/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR	22	171.57
		DS3695ATM/NOPB			0.00
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAMTRON
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAM
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free			2 160.00
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	ТАИЛАНД
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYPR
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYP
		FM25H20-DG		Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	4-7 НЕДЕЛЬ	289
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM			GEYER ELECTRONIC
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM			GEYER
		KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM					517.60
		TLV2461IDBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV2461IDBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		TLV2461IDBVR					358.80
		TLV2461IDBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	467
		ULN2803LW					208.00
		ULN2803LW			ALLEGRO MICROSYSTEMS INC
		ULN2803LW			4-7 НЕДЕЛЬ	403

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"