| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
|
107.60
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
660
|
20.84
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
1
|
39.86
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 785
|
19.47
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
SGS
|
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
|
|
32.92
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
16
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7818CV |
|
Стабилизатор напряжения +18V 1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
|
368
|
128.42
|
|
|
|
КС536А1 |
|
стекло
|
|
980
|
110.40
|
|
|
|
КС536А1 |
|
стекло
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
КС536А1 |
|
стекло
|
СЗТП
|
52
|
199.10
|
|
|
|
КС536А1 |
|
стекло
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 539
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
5 195
|
38.16
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
73.82
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|