| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTON
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTRON
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
IR2153PBF |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2153PBF |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
3 408
|
75.42
|
|
|
|
|
IR2153PBF |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
236
|
70.80
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
212
|
29.44
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 030
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
|
420
|
24.00
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
22.64
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
16
|
8.52
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
170
|
|
|
|
|
|
|
КТ961В |
|
|
2226
|
|
|
|
Версия для печати
