KA7500B-16

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
DIP8-S-M		NELTON
DIP8-S-M		NELTRON
DIP8-S-M
DIP8-S-M		HSUAN MAO
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		13	14.40
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	2 994	33.48
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240
КТ961В			564	24.00
КТ961В		КРЕМНИЙ	532	22.64
КТ961В		БРЯНСК
КТ961В		МИНСК
КТ961В		УЛЬЯНОВСК
КТ961В		RUS
КТ961В		ИНТЕГРАЛ
КТ961В		ТРАНЗИСТОР	16	9.64
КТ961В		170
КТ961В		2226
КТ961В		21