С2-23-0,125-120 КОМ-5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
С2-23-0,125-120 КОМ-5%	373	3.78

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-Y5V-50-0.15МКФZ		HITANO
LTV817C		LINEAR TECHNOLOGY
LTV817C		LITE-ON	1 788	8.48
LTV817C		LIT
LTV817C			88	25.20
LTV817C		КИТАЙ
LTV817C		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTV817C		1
LTV817C		4-7 НЕДЕЛЬ	25
LTV817C		2245
К73-17-630В-0.047МКФM
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	11.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 960	49.59
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000
С2-23-0,125-240 ОМ-5%			177	5.55