МЛТ-0,125-7,5 КОМ-10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
Д 814 А	Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА	RUS
К 176 ЛИ1		RUS
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.		2 674	21.08
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	НЗПП
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ДНЕПР
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХАБАРОВСК
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХЕРСОН
К176ЛП1	Микросхема представляет собой логический элемент универсальный, содержит 6 МОП ...		800	37.48
К176ЛП1	Микросхема представляет собой логический элемент универсальный, содержит 6 МОП ...	НЗПП
К176ЛП1	Микросхема представляет собой логический элемент универсальный, содержит 6 МОП ...	НОВОСИБИРСК
К176ЛП1	Микросхема представляет собой логический элемент универсальный, содержит 6 МОП ...	ХАБАРОВСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		3 904	33.48
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290