МЛТ-0,125-15 КОМ-10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами	HSUAN MAO
DIP16-S	Панель DIP-16S с плоскими контактами			7.60
SCSL-05				5.08
SCSL-05				5.08
К 176 ЛИ1		RUS
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.		2 473	21.08
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	НЗПП
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ДНЕПР
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХАБАРОВСК	200	14.88
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХЕРСОН
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.48
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	33.48
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	327	22.32
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290