ВС-5-5-1 МОМ-10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206 510 ОМ 5%		FAT
AT-32011-TR1		HEWLETT PACKARD
AT-32011-TR1		HEWLETT PACKARD
AT-32011-TR1		Avago Technologies US Inc
AT-32011-TR1				297.20
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт			8.76
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	ДАЛЕКС	161	28.80
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	RUS
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	ИНТЕГРАЛ
КТ3130Б9	Транзистор биполярный 50В, 0.1А, 100мВт	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		400	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 727	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
МЛТ-1-4,7 КОМ-5%	Резистор постоянные металлопленочные лакированные теплостойкие с металлоэлектрическим ...		22	5.55