ВС-5-5-1 МОМ-10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MC34119L-S08-R		UNISONIC TECHNOLOGIES
MC34119L-S08-R		ON SEMICONDUCTOR
MC34119L-S08-R		UNION TECHNOLOGY CORPORATION
MC34119L-S08-R				32.00
MC34119L-S08-R		UNION TECHNOLOGY CORPORATION
MC34119L-S08-R		UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD	52
MC34119L-S08-R		UNISONIC
MC34119L-S08-R		4-7 НЕДЕЛЬ	752
АЛ301Б-1
КТ 315 А	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
КТ 315 А	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 193	27.75
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	480	28.35
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 729	37.80
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
ТВО-2-510КОМ 10%		АЛМАЗ
ТВО-2-510КОМ 10%