| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1МКФ 160 (6.3X11)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
144.45
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
|
784
|
37.80
|
|
|
|
IRF1010E |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SQP-5-150 ОМ-5% |
|
|
|
36
|
14.88
|
|
|
|
|
Z5U-3300ПФ 1К (20%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 468
|
27.90
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
746
|
32.79
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 609
|
33.48
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|