| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
DE
|
|
|
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц
|
UTC
|
1
|
31.78
|
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SD669AC |
|
Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц
|
HIT
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
13
|
55.50
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
660
|
21.09
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
1
|
39.86
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
|
|
854.40
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LME49710NA |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
752
|
|
|
|
|
|
LME49810TB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LME49810TB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LME49810TB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LME49810TB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LME49810TB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|