Версия для печати
Технические характеристики TA7291P

Корпус	10-HSIP
Корпус (размер)	10-HSIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-30°C ~ 75°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 20 V
Число выходов	1
Ток выходной	1A
Сфера применения	DC Motor Driver, Bridge
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры двигателей

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	50 033	1.57
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		87 396	1.28  >100 шт.   0.64
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	669 026	1.08  >100 шт.   0.54
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	48 000	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 009	1.11
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	427 737	1.64  >100 шт.   0.82
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME	206 400	1.26  >500 шт.   0.42
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	94	1.36  >100 шт.   0.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	385 028	1.05
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	1.98  >100 шт.   0.99
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	349 492	1.20  >500 шт.   0.40
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	352	1.35  >500 шт.   0.45
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	13825
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	782
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ELZET	96 000	0.99  >500 шт.   0.33
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	TRR	961 720	1.26  >500 шт.   0.42
		MC3371D				417	218.30
		MC3371D			4-7 НЕДЕЛЬ	508
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.80
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АЗОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ВИННИЦА
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛЛУР
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ПАВЛОВ ПОСАД
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЭКСИТОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АНГСТРЕМ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛУР
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОССИЯ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ОКТЯБРЬ
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В		800	41.38
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСК
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	ХАБАРОВСК
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		2 012	5.47
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	880	12.40
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	191

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"