|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
|
85
|
382.90
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
MICRO CHIP
|
568
|
425.96
|
|
|
|
ATMEGA32A-PU |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
616
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
15 580
|
1.06
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
8 432
|
1.48
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
1 742
|
2.58
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
210
|
4.66
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.58
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
7 052
|
2.46
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
|
9
|
54.18
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
332
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7105 |
|
N-канальный и P-канальный Полевой транзистор в одном корпусе(Vds=25V, Id=3.5A/2.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
MICRO CHIP
|
360
|
216.97
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
|
|
392.00
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP3201-CI/P |
|
Аналого- цифровой преобразователь 12бит, SPI
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
210
|
|
|
|
|
WH1602A-YYK-CTK |
|
|
WINSTAR
|
343
|
447.99
|
|
|
|
WH1602A-YYK-CTK |
|
|
|
|
|
|