BC856BLT1G


Купить BC856BLT1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC856BLT1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC856BLT1G (ON SEMICONDUCTOR.) 102 364 3-4 недели
Цена по запросу
BC856BLT1G (ONS) 98 322 2.40 

Версия для печати

Технические характеристики BC856BLT1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Power - Max225mW
Frequency - Transition100MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationWire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC856ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC856BLT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC856BLT1G datasheet
112.6Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   PHILIPS 120 1.26 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   DC COMPONENTS 14 860 2.07 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   INFINEON 379 1.69 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   DIOTEC 136 1.86 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)     Заказ радиодеталей 6.32 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   PHILIPS 888 цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   PHILIPS SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   NXP 2 191 цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   WUXI XUYANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   HOTTECH 65 945 2.03 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   YJ 400 618 1.23 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   CJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   JSCJ 18 046 1.36 
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   SLKOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS70-04 2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)   XSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BF998E6327 N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BF998E6327 N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BF998E6327 N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BF998E6327 N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BFR93A.215     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BFR93A.215       Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   TEXAS INSTRUMENTS 1 12.33 
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА     Заказ радиодеталей 15.68 
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   МАРОККО Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   ON SEMICONDUCTOR 12 цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   TEXAS INSTRUMENTS 24 цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM311D Компаратор стробируемый 3.5 - 30В,115нс, 7,5мА   4-7 НЕДЕЛЬ 700 цена радиодетали
    MCP1702T-3302E/CB     MICRO CHIP 16 289 40.51 
    MCP1702T-3302E/CB       Заказ радиодеталей 61.00 
    MCP1702T-3302E/CB     Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCP1702T-3302E/CB     MICRO CHIP 8 171 цена радиодетали
    MCP1702T-3302E/CB     JSMICRO 1 797 23.70 
    MCP1702T-3302E/CB     4-7 НЕДЕЛЬ 462 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход