2SD2012

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD2012		57.00

Версия для печати

Технические характеристики 2SD2012

Корпус	TO-220F
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD2012

Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SD2012 datasheet
167.27Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOSHIBA
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOS
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)		52.40
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	КИТАЙ

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOSHIBA
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOS
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)			52.40
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	КИТАЙ
2SC2334	NPN 200V, 7A, 65W, 20MHz	NEC	26	71.82
2SC2334	NPN 200V, 7A, 65W, 20MHz	FAIR
2SC2334	NPN 200V, 7A, 65W, 20MHz
2SC2334	NPN 200V, 7A, 65W, 20MHz
2SC4064		SK
2SC4064
2SK117	Транзистор полевой	TOSHIBA
2SK117	Транзистор полевой	TOS
2SK117	Транзистор полевой		1	60.00
RCA-217 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ