2SD2012

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD2012		57.00

Версия для печати

Технические характеристики 2SD2012

Корпус	TO-220F
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SD2012

Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SD2012 datasheet
167.27Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOSHIBA
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	TOS
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)		52.40
2SB1375	Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)	КИТАЙ

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3675	Биполярный транзистор NPN 1500V, 0.1A, 10W (Dynamic Focus)	SANYO
2SC3675	Биполярный транзистор NPN 1500V, 0.1A, 10W (Dynamic Focus)			66.76
2SC4064		SK
2SC4064
2SK246GR	Транзистор			34.00
2SK246GR	Транзистор	TOSHIBA
2SK246GR	Транзистор	TOS
BSS129		SIEMENS
BSS129		INFINEON
BSS129
ИВ-3А	Индикатор люминесцентный вакуумный сверхминиатюрный . Предназначен для формирования ...		262	64.75
ИВ-3А	Индикатор люминесцентный вакуумный сверхминиатюрный . Предназначен для формирования ...	САРАТОВ