2SD2012
Биполярный транзистор NPN 60V, 3A, 25W, 9MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Power - Max | 25W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SD2012 Npn Triple Diffused Type (audio Frequency Power Amplifier Applications)
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SB1375 |
|
Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SB1375 |
|
Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SB1375 |
|
Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320) |
|
52.40 | ||
|
|
|
2SB1375 |
|
Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320) | КИТАЙ |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | BARONS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | BI TECHNOLOGIES |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` |
|
51.68 | ||
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
3266W-1-502 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 5 кОм 1/4`` | BOCHEN | 10 618 | 14.53 | |
| MC33260P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33260P | ONS |
|
|
|||||
| MC33260P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33260P | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MC33260P | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| MC33260P |
|
|
||||||
| MC33260P | 4-7 НЕДЕЛЬ | 643 |
|
|||||
| RCA-120 ГН НА ПЛАТУ (RS-1131) |
|
|
||||||
| RCA-122 ГН НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
| RCA-214 ГН НА ПЛАТУ (RS-214) |
|
|
