| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
SANKEN
|
52
|
412.02
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
|
|
167.04
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC5586 |
|
Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SJ6920TU |
|
Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В
|
|
|
275.60
|
|
|
|
ECAP 100/63V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ, 63 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/63V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ, 63 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 100/63V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ, 63 В, 105С
|
|
|
20.00
|
|
|
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
96
|
956.34
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
36
|
515.20
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
173
|
1 312.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|