| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
|
|
19.04
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
462.50
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
28 364
|
8.51
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
7 613
|
5.30
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
14.45
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
22.68
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
29
|
7.23
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
132
|
6.65
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
8 817
|
6.74
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
56 800
|
8.95
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
1 156
|
4.67
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
|
30
|
9.25
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ368АМ |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 900МГц,225 мВт, 15В, 30мА
|
ИНТЕГРАЛ
|
8
|
15.12
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
49
|
1 009.26
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
1
|
462.50
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
144
|
1 533.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|