| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
|
|
19.04
|
|
|
|
3362S-503 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 50 кОм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
226
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
|
8
|
465.00
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFPF40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
28 448
|
13.79
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
5 332
|
5.01
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
16.70
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
24.20
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
5
|
10.33
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
94
|
7.06
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
9 976
|
7.16
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
56 400
|
9.50
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
111
|
1 229.76
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
184
|
1 116.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
97
|
1 357.80
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|