| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
KBPC1004 10A 400V (BR100) |
|
|
|
853
|
40.36
|
|
 |
 |
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
|
|
422.60
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
|
1 541
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
1 336
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
510
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
БРЯНСК
|
3 025
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
НАЛЬЧИК
|
5
|
2.10
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
МИНСК
|
373
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502В |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1 058
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
13.61
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 427
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
ММТ-4А-100К20% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ММТ-4А-100К20% |
|
|
АЛМАЗ
|
|
|
|
Версия для печати
