| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.27
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
1.81
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
61 992
|
1.43
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
WEEN/NXP
|
12 962
|
3.58
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
WEEN / NXP
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
WEEN
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
|
|
|
|
|
|
BT169D.112 |
|
Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA
|
NEX-NXP
|
688
|
11.37
|
|
|
|
STM32VLDISCOVERY |
|
Отладочный комплект
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM32VLDISCOVERY |
|
Отладочный комплект
|
|
|
2 628.00
|
|
|
|
STM32VLDISCOVERY |
|
Отладочный комплект
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32VLDISCOVERY |
|
Отладочный комплект
|
ФРАНЦИЯ
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
PI
|
168
|
258.30
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
|
55
|
567.00
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
1
|
|
|
|
|
|
TOP227YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC, Pвых 150W, Umax 700V, Imax 3,0A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
760
|
|
|
|
|
|
ГРПМШ-1-31ГО2-В РОЗ. 02-06ГГ |
|
|
|
|
|
|