| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
11 033
|
2.95
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
5.78
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
8
|
2.25
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
26 114
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
1.40
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
|
|
1 240.00
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
36
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 240
|
11.37
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
503
|
593.60
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
|
616
|
703.00
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
365
|
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
769
|
|
|
|
|
PIC16F877A-I/PT |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 33I/O, 20MHz
|
629
|
|
|
|
|
|
PMBFJ310,215 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
PMBFJ310,215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMBFJ310,215 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
PMBFJ310,215 |
|
|
NEX
|
|
|
|