| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 162pF @ 10V |
| Power - Max | 460mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CRCW0603100RFKEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW0603100RFKEA |
|
|
VISHAY
|
5 925
|
|
|
|
|
|
CRCW0603100RFKEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW0603100RFKEA |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CRCW0603100RFKEA |
|
|
VIS
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
AUK
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
|
|
215.48
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
BM
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
NXU
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DHR-62F |
|
Розетка угловая 62 pin высокой плотности на кабель 3 ряда, 1.5А, 250В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
2 318
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 216
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ET.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ET.215 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ET.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ET.215 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ET.215 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
1
|
3.49
|
|
|
|
|
TECAP 330/10V E 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 330 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|