Версия для печати
Технические характеристики MMBTH10LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

MMBTH10LT1G VHF / UHF Transistor NPN Silicon Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MMBTH10LT1G datasheet 55.79Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335R					88.00
		2SC2335R			FAIR
		BAS16HT1G			ON SEMICONDUCTOR	67 200	1.68
		BAS16HT1G			FAIR
		BAS16HT1G					30.00
		BAS16HT1G			FAIRCHILD
		BAS16HT1G			ONS
		BAS16HT1G			FAIRCHILD
		BAS16HT1G			ON SEMICONDUCTOR	108
		BAS16HT1G			Fairchild Semiconductor
		BAS16HT1G			ON SEMICONDUCTO
		BAS16HT1G			LRC
		BAS16HT1G			ONS-FAIR
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	ON SEMICONDUCTOR
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	FAIR
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	PHILIPS
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	NXP
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	FAIRCHILD
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	ONS
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	FAIRCHILD
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	PHILIPS
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	Fairchild Semiconductor
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450	КИТАЙ
		BCW32		Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450			5.56
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	DC COMPONENTS	336 804	1.92
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...		7 936	1.04  >100 шт.   0.52
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	GALAXY
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	Micro Commercial Co
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	КИТАЙ
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	TWN
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MCC
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KINGTRON
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	YJ	201 198	1.03
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	GALAXY ME
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KINGTRONIC
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KINGTRONICS	24	1.31
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	HOTTECH	10 917	1.17  >500 шт.   0.39
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KLS	13	1.25
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MIC	17	1.37
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	YANGJIE	20 000	1.96  >100 шт.   0.98
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	YANGJIE (YJ)
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	SUNTAN	384	1.35  >500 шт.   0.45
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	WUXI XUYANG	1 824	5.76
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	PANJIT	10 832	1.82
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MICRO COMMERCIA	7 600	5.17
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MDD
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	1
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	SLKOR
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KEENSIDE
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	40	1.08
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	ASEMI	209	1.38  >100 шт.   0.69
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	KEEN SIDE	628	1.17  >500 шт.   0.39
		GS1M		Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...	MERRYELC	8 000	1.14  >100 шт.   0.57
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 760	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"