Версия для печати
Технические характеристики MMBTH10LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

MMBTH10LT1G VHF / UHF Transistor NPN Silicon Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MMBTH10LT1G datasheet 55.79Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335R					88.00
		2SC2335R			FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ON SEMICONDUCTOR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DC COMPONENTS	8 650	1.29
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DIOTEC
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс		2 704	1.51
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ONS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD	8 101
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS	11 428
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	Fairchild Semiconductor
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ZTX
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	JSCJ	8 671	1.92  >100 шт.   0.96
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	SZOMK	4	1.34
		BB152			NXP
		BB152			NXP
		BB152
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 920	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения			48.44
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ONS
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	МАЛАЙЗИЯ
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	ON SEMICONDUCTO
		NCP1400ASN50T1G		Импульсный стабилизатор напряжения	4-7 НЕДЕЛЬ	566

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"