Версия для печати
Технические характеристики 2N4125

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 2mA, 1V
Power - Max	625mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3905			FAIR
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3905			FAIRCHILD
		2N3905			FAIRCHILD	99
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	8 530	2.37
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		22 400	1.64  >100 шт.   0.82
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	7.18
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	8.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N4126			FAIR
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126			OTHER
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		53 901	7.56
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...		2 215	3.70
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	КРЕМНИЙ	2 303	16.34
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ЭЛЕКС
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	МИНСК	3 084	8.40
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	БРЯНСК	121	6.30

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS	3 620	1.82
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	8 785	2.64
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	8.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	4 008	3.29
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		14 452	1.26  >100 шт.   0.63
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	7.18
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
		2N5087G			ON SEMICONDUCTOR
		2N5087G			ON SEMICONDUCTOR
		MC4558CN			ON SEMICONDUCTOR
		MC4558CN			SGS
		MC4558CN			ST MICROELECTRONICS
		MC4558CN				3	79.55
		MC4558CN			SGS THOMSON
		MC4558CN			STMicroelectronics
		MC4558CN			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC4558CN			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC4558CN			ST1
		MC4558CN			ST MICROELECTRONICS SEMI
		MC4558CN			ST MICROELECTRO
		MC4558CN			4-7 НЕДЕЛЬ	528
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	34.02
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		8	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	480

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"