|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3905 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3905 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3905 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3905 |
|
|
FAIRCHILD
|
99
|
|
|
|
|
2N3905 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
DIOTEC
|
3 029
|
3.70
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE ELECTRONICS, INC
|
56
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
|
22 475
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
NTE
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MOTOROLA
|
266
|
7.18
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
8.69
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N3906 |
|
Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N4126 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
|
53 339
|
7.56
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
372
|
1.09
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный
|
НИИПП ТОМСК
|
168
|
8.27
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
|
2 207
|
3.70
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
2 279
|
16.34
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
МИНСК
|
3 068
|
8.40
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
121
|
6.30
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 481
|
2.71
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 480
|
3.53
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
12 047
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
2N5087G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5087G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5952 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5952 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5952 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5952 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
G0 473F |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
34.02
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
8
|
75.60
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
749
|
|
|