|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 1V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 11 Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Корпус | DO-35 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
| Tolerance | ±5% |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6520TA | FAIR |
|
|
|||||
| 2N6520TA | SAMSUNG |
|
|
|||||
| 2N6520TA |
|
160.00 | ||||||
| 2N6520TA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N6520TA | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| 2N6520TA | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| 2N6520TA | ONS |
|
|
|||||
|
|
HA17358 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
HA17358 |
|
|
|||||
|
|
HA17358 | HITACHI SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
HA17358 |
|
|
|||||
|
|
HA17358 | HITACHI |
|
|
||||
|
|
HA17358 | HIT |
|
|
||||
|
|
HA17358 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 349 |
|
||||
| MMBD352LT3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBD352LT3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT6520LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT6520LT1 | 8 | 22.68 | ||||||
| MMBT6520LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 774 |
|
|||||
|
|
ГУ-81М 85-87 ГГ |
|
3 697.48 |