Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	EIC
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	ST MICROELECTRONICS
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	DIODES
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	VISHAY
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	SEMICRON
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	SMK
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в		7 440	9.89
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	DIODES INC.	16
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	VISHAY
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	DC COMPONENTS	2 280	25.10
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	Littelfuse Inc
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	КИТАЙ
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	GENERAL SEMICONDUCTOR	144
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	BRIGHTKING
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	JJM
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	YANGJIE (YJ)
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	YJ	8	32.03
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	SUNTAN	252	22.31
		1.5KE300A		Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 300в	KOME	496	8.59
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 525	5.17
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	12 785	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		6 680	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	76 577	0.75  >1000 шт.   0.15
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.05
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...	ANALOG DEVICES	2	1 650.71
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...	ANALOG
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...	Analog Devices Inc
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...	AD1
		AD826ANZ		2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	715
		КТ850А		Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	КРЕМНИЙ	4	71.82
		КТ850А		Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...		335	55.50
		КТ850А		Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	БРЯНСК	719	111.30
		КТ850А		Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ850А		Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...	RUS
		КТ851Б					43.20
		КТ851Б			КРЕМНИЙ	80	75.60
		КТ851Б			БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"