| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
3 720
|
11.51
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST MICROELECTRONICS
|
82
|
190.65
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
|
|
242.92
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7439 |
|
ИМС УНЧ DIP30
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
548
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
|
240
|
78.76
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
СЗТП
|
68
|
86.94
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
СЗТП САРАНСК
|
13
|
76.01
|
|
|
|
|
КР142ЕН18Б |
|
|
|
|
63.36
|
|
|
|
|
КР142ЕН18Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 875
|
30.36
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
6 208
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
Версия для печати
