| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
DE
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
|
|
107.04
|
|
|
|
IRFZ44 |
|
Мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, 200Вт, 30МГц, 260В, 15А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
LF357N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LF357N |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF357N |
|
|
|
|
227.04
|
|
|
|
|
LF357N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
20
|
24.80
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
7 085
|
37.20
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
9185
|
|
|
|
|
|
|
КР1446ПН1Б |
|
|
|
|
198.12
|
|
|
|
|
КР1446ПН1Б |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|