| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 5,6К 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
SMSC
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
|
713
|
1 446.70
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
MICRO CHIP
|
24
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
MICRO CHIP
|
176
|
522.36
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
STANDARD MICROSYSTEMS CORPORAT
|
|
|
|
|
|
|
LAN9221I-ABZJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
456
|
|
|
 |
 |
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
|
5 004
|
3.70
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ХЕРСОН
|
366
|
4.20
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ДНЕПР
|
483
|
4.72
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ПО "ДНЕПР"
|
2 320
|
17.56
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
338
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 271
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
42.36
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.25 ВТ 46.4 КОМ 2% |
|
|
|
2 469
|
2.02
|
|
Версия для печати
