| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 16A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 35V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 450pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
3 958
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
73 416
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
30 087
|
1.18
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
203 401
|
1.62
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
14 182
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
6 800
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
148 556
|
3.70
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
99 161
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
69 064
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
3 360
|
1.03
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
17 439
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
30 000
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KEEN SIDE
|
131 480
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SENOCN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН
|
19
|
1.21
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
5679
|
400
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
80658
|
1
|
0.63
>500 шт. 0.21
|
|
|
|
|
7810 ISO |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +10V 1.0A 4% 0..+125C
|
|
|
42.36
|
|
|
|
|
7810 ISO |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +10V 1.0A 4% 0..+125C
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
7810 ISO |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +10V 1.0A 4% 0..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
|
|
432.80
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 1841 105C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 1841 105C |
|
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 1841 105C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 1841 105C |
|
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/63V 1841 105C |
|
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
|
8.40
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
AUK
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ZHEN
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
|
|
|