3А112А
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2А104А | 1 886 | 312.32 | ||||||
| 2А104А | ТОМИЛИНО | 1 915 | 22.32 | |||||
| 2А104А | ЭЛТОМ |
|
|
|||||
| 2А104А | 1823 |
|
|
|||||
| 2А104А | 4 |
|
|
|||||
| 2А104А | 482 |
|
|
|||||
| 2А104А | 85 |
|
|
|||||
| 2А517А-2 | 155 | 160.06 | ||||||
| 2А517А-2 | СОЛИТОН-ТАНТАЛ | 2 240 | 291.00 | |||||
| 2А517А-2 | ТАНТАЛ | 88 | 111.60 | |||||
| BAS316,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS316,115 |
|
|
||||||
| BAS316,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NEXPERIA | 24 000 |
|
|||||
| BAS316,115 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NXP/NEXPERIA | 15 | 8.10 | |||||
| BAS316,115 | NEX-NXP | 23 200 | 4.13 | |||||
 |
 |
BT149G,126 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BT149G,126 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BT149G,126 |
|
WEEN |
|
|
||
 |
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 852 | 5.47 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 120 | 12.40 | |
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 191 |
|
|
