Версия для печати
Технические характеристики MSA-0386

Ток выходной	20mA ~ 50mA
Частота	0Hz ~ 2.4GHz
Gain	10dB ~ 12dB
Noise Figure	6dB
P1dB	10dBm (10mW)
Корпус (размер)	4-SMD (86 Plastic)
RF Type	ISM, PCS, WLL, 802.16/WiMax
Test Frequency	1GHz
Напряжение питания	4 V ~ 6 V

MSA-0386 (Мощные усилители) Cascadable Silicon Bipolar Mmic Amplifier Также в этом файле: MSA-0386-BLK, MSA-0386-TR1 Производитель: Agilent Technologies //www.agilent.com MSA-0386 datasheet 52.38Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Радиочастотные компоненты (RF и RFID)

 » 

RF усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2А104А				1 956	312.32
		2А104А			ТОМИЛИНО	1 915	25.44
		2А104А			ЭЛТОМ
		2А104А			1823
		2А104А			4
		2А104А			482
		2А104А			85
		2А517А-2				179	92.00
		2А517А-2			СОЛИТОН-ТАНТАЛ	2 240	291.00
		2А517А-2			ТАНТАЛ	96	127.20
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
		BFS17A		Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		2 012	5.47
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	880	12.40
		КД514А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	191

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"