| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
|
|
45.76
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
FULIHAO TECH
|
272
|
6.20
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
FULIHAO
|
2 708
|
5.61
|
|
|
|
|
LM358M |
|
OP-AMP сдвоенный, сеpия 158
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
244
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
|
348
|
11.04
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ХЕРСОН
|
473
|
21.00
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ДНЕПР
|
505
|
21.00
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
СЗТП
|
80
|
34.02
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД103А |
|
Кремниевй диффузионный диод 50В, до 2А
|
ПО "ДНЕПР"
|
224
|
56.83
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1 074
|
11.34
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
12.47
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 443
|
4.20
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 942
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.40
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ 817 В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
190
|
850.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
16
|
552.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
172
|
1 312.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
