Версия для печати

2SK1358 (Полевые МОП транзисторы) Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SK1358 datasheet 573.21Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3039		Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)	FAI/QTC
		2SC3039		Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)	SANYO
		2SC3039		Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)		20	211.68
		2SC3039		Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)	SAN
		2SC3039		Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)	КИТАЙ
		GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ			MICROSEMI CORP
		GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ			PANJIT
		GS1M ДИОД ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ
		HER157 (1.5A 800V)
		SKM150GB123D			SMK
		SKM150GB123D					26 051.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 720	35.09
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"