С5-16МВ-5 0,3ОМ 1%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	85 474	1.54
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	366 072	1.48
1N4007		DIOTEC	71 820	2.84
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	346 177	1.25
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	816	5.47
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			1 916	3.70
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	27	1.54
1N4007		HOTTECH	128 736	1.96 >100 шт. 0.98
1N4007		KLS
1N4007		YS	2 311	1.38
1N4007		YANGJIE	72 992	1.38
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG
1N4007		KUU	4	0.99 >500 шт. 0.33
1N4007		CHINA
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	63 234	1.18
1N4007		TWGMC	31 197	1.11 >500 шт. 0.37
1N4007		CTK
1N4007		JUXING	85	2.25
1N4007		ASEMI	1	1.46 >100 шт. 0.73
1N4007		YANGZHOU YANGJIE
1N4007		KEEN SIDE	454 482	1.12 >100 шт. 0.56
LA3605-SAN		SANYO
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIR
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FSC
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A		2	74.00
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	FAIRCHILD
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMicroelectronics
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	Fairchild Semiconductor
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	КИТАЙ
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS	266	89.79
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRONICS SEMI
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	ST MICROELECTRO
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	STMICROELECTR
TIP142T	Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	68	1 034.56
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		36	515.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	173	1 325.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
ХЛОРНОЕ ЖЕЛЕЗО