| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
8 520
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 960
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
|
1
|
29.60
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
МСХ1
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ЛАТВИЯ
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА РИГА
|
688
|
113.65
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 482
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
1 454
|
10.58
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 600
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 397
|
14.07
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 136
|
8.59
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
16883
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7000
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7364
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
|
747
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.96
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
БРЯНСК
|
1 209
|
12.60
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...
|
1512
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,5 100К 10% |
|
|
|
|
|
|