| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
MICRO CHIP
|
4
|
659.78
|
|
|
|
|
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
|
|
501.28
|
|
|
|
|
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-20I/P |
|
1Kx14 Flash 20MHz -40/+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
292
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В
|
|
43
|
12.80
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.068 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.068 мкФ 630 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.1 20% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 630 В
|
|
|
18.80
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 672
|
7.36
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
15 216
|
13.58
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 080
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
|
44
|
53.80
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
МСХ1
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ЛАТВИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА РИГА
|
440
|
113.65
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
АЛЬФА
|
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
