| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
HOTTECH
|
27 991
|
4.21
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
JSMICRO
|
10 332
|
2.41
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
754
|
|
|
|
|
|
MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
|
MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В
|
|
|
10.80
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
|
|
25.52
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛН3 |
|
6 буферных формирователей с открытым коллектором и повышенным коллекторным напряжением
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 662
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 720
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 632
|
12.88
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 780
|
8.49
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
1 600
|
14.70
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
864
|
6.30
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 825
|
14.07
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 140
|
9.08
|
|
Версия для печати
