К73-17 1М 630В 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	TOSHIBA	8	191.30
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W		1 164	98.05
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	TOS
2SJ512	Биполярный транзистор P-MOS 250V, 5A, 30W	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		268	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	1 342	23.83
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	30.01
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	VISHAY
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONS
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A		2	57.96
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ONSEMICONDUCTOR
MUR1100ERLG	Ультрабыстрый диод 1000V 1A	ON SEMICONDUCTO
МЛТ-1-1 КОМ-5%	Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий		176	15.12
МЛТ-1-20 ОМ-5%			1 625	7.40