| Мощность рассеяния,Вт | 0.3 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 7.6 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 8.4 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 10 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.11 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 0.12 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 33 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
|
2
|
234.36
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
EVVO
|
2 763
|
37.05
|
|
|
|
|
ДМ0.6-8 |
|
|
|
132
|
5.67
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
936
|
92.50
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
407
|
210.00
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
140
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
369
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 061
|
27.75
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
30.24
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
