| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
67.15
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
4
|
65.10
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
SMT
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
OTHER
|
771
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
JSCJ
|
64
|
17.80
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HXY
|
3 526
|
7.86
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
ДМ0.6-8 |
|
|
|
132
|
6.25
|
|
|
|
|
К 555 ТМ9 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К 555 ТМ9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
726
|
93.00
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
140
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
369
|
|
|
|
Версия для печати
