Версия для печати
Технические характеристики MC14001BD

Корпус	14-SOIC (Narrow)
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	3 V ~ 18 V
Ток выходной макс., мин.	3.4mA, 3.4mA
Число каналов	4
Число входов	2
Логический тип	NOR Gate
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A			148.88
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	ТАИЛАНД
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INFINEON
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	4-7 НЕДЕЛЬ	56
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W			275.84
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
		MC33269DT-12			MOTOROLA
		MC33269DT-12			ON SEMICONDUCTOR
		MC33269DT-12			MOTOROLA
		MC33269DT-12				4	55.50
		MC33269DT-12				4	55.50
		MC33269DT-12			4-7 НЕДЕЛЬ	743
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 066	37.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	484	49.14
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	810	94.50
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК	92	21.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"