Версия для печати
Технические характеристики IRFP250NPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	123nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2159pF @ 25V
Power - Max	214W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5407		Диод 3А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIR
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMI INSTRUMENTS
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	MOTOROLA
		1N5407		Диод 3А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	DC COMPONENTS	4 739	6.07
		1N5407		Диод 3А, 800В	SMK
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIRCHILD
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIRCHILD
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMI INSTRUMENTS
		1N5407		Диод 3А, 800В		1	9.25
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	MOTOROLA
		1N5407		Диод 3А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5407		Диод 3А, 800В	Fairchild Semiconductor
		1N5407		Диод 3А, 800В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5407		Диод 3А, 800В	КИТАЙ
		1N5407		Диод 3А, 800В	DIOTEC	2 445	4.22
		1N5407		Диод 3А, 800В	TSC
		74AC00N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2	FAIR
		74AC00N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2		1	11.08
		74AC00N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2	МЕКСИКА
		74AC00N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2	1
		74AC00N		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2	4-7 НЕДЕЛЬ	136
		IRFP9240PBF		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)	VISHAY	304	164.00
		IRFP9240PBF		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)	Vishay/Siliconix
		IRFP9240PBF		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)	VISHAY/IR
		IRFP9240PBF		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP9240PBF		Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...		780	36.80
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ	278	77.10
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	БРЯНСК	2 890	96.60
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	МИНСК
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	RUS
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ805АМ		Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...	КРЕМНИЙ ЭЛ
		ЭКР1554ЛА3			ЗПП
		ЭКР1554ЛА3			ЗПП МИНСК
		ЭКР1554ЛА3					57.20
		ЭКР1554ЛА3			ИНТЕГРАЛ
		ЭКР1554ЛА3			RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"