| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ДЖЕК 3,5 NI, МЕТ. |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
|
|
129.60
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
ВЛАДИКАВКАЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СИРИУС
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
СЗТП
|
4
|
183.49
|
|
|
|
|
КД906А |
|
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КОНДЕНСАТОР 2000В 0.01МКФ 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 367
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
|
39
|
307.44
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ
|
240
|
196.31
|
|
Версия для печати
