Версия для печати
Технические характеристики TRR-1A-12-D-00-R

Ток питания обмотки	постоянный
Количество обмоток	1
Напряжение срабатывания, не более,В	9
Напряжение отпускания,не менее,В	1
Сопротивление обмотки, Ом	500
Минимальное рабочее напряжение,В	20
Номинальное рабочее напряжение,В	12
Максимальное коммутируемое постоянное напряжение,В	100
Максимальный коммутируемый постоянный ток, А	1
Время срабатывания,мс	1
Время отпускания,мс	1
Сопротивление изоляции,МОм	100000
Максимальное сопротивление электрических контактов,Ом	0.15
Наработка на отказ не менее,циклов х106	100
Рабочая температура,С	-40...85
Корпус	DIP

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		559	5.55
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	13 366	1.37
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	33 438	1.50
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	16 849	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 780	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.26  >100 шт.   0.63
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	261	4.11
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	2 389	2.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	3	2.34
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	11475
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	3599
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	4726
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	583
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	FAIR
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SAMSUNG
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz		17 680	1.92  >100 шт.   0.96
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CJ	4 844	4.13
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YJ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	CHINA
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HOTTECH	24 928	1.50  >500 шт.   0.50
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	OMRON
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YANGJIE (YJ)
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	LGE
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	КИТАЙ
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	YOUTAI	9 738	1.16  >100 шт.   0.58
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	SUNTAN
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	HXY	2 928	1.28  >100 шт.   0.64
		SS8550		Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz	KEEN SIDE	23 262	1.02  >100 шт.   0.51
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...	СВЕТЛАНА
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...			272.40
		КП304А		Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		3 820	29.44
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	14 890	33.60
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	1058
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	14555
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	3000
		КР142ЕН19А (00-09Г)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"